Single damascene vs 的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和整理懶人包

國立成功大學 電機工程學系 李文熙所指導 古亞師的 連續層蝕刻和高壓退火對high-k金屬柵極 MOSC 和 SiGe FinFET 電特性影響研究 (2021),提出Single damascene vs 關鍵因素是什麼,來自於顺序层蚀刻、原子层蚀刻、高压退火、界面陷阱。

而第二篇論文國立臺灣師範大學 健康促進與衛生教育學系 郭鐘隆所指導 劉冠儀的 探討3D VR芳香療法2.0虛實結合課程對機構老人身心健康之成效 (2020),提出因為有 3DVR、芳香療法、機構老人、身心健康、學習動機的重點而找出了 Single damascene vs 的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了Single damascene vs ,大家也想知道這些:

連續層蝕刻和高壓退火對high-k金屬柵極 MOSC 和 SiGe FinFET 電特性影響研究

為了解決Single damascene vs 的問題,作者古亞師 這樣論述:

未来按比例缩小的Si MOSFET的前景从根本上受到驱动电流饱和的限制. 应结合具有高载流子迁移率和源极注入速度的SiGe MOSFET通道,以规避这种缩放限制, 并允许短通道MOSFET驱动电流的未来发展.因此,突破传统半导体固有的发展局限和摩尔定律的局限,成为寻找下一代半导体材料并研究其相关工艺的根本任务.基于上述困难,本文提出了一种新的制造工艺方法并寻求采用.即,低温高压退火 (HPA) 和顺序层蚀刻 (sALE) 以及该技术的权宜之计已得到彻底研究. 在本研究的第一部分中,6个大气压的高压退火技术(200-450˚C) 作为高 k/金属栅极金属氧化物半导体电容器的金属后退火.

为了验证高压退火(HPA)在提高界面陷阱密度,泄漏问题和平带电压偏移方面的能力,将氧化物陷阱电荷,界面态密度和泄漏电流与其他相同结构的电容器进行了退火处理通过微波退火(MWA)进行比较.HPA 表现出低陷阱密度,表明可能去除电荷陷阱并降低漏电流密度.结果表明, 与高功率微波退火相比,HPA工艺可以有效地减少低温下俘获的电荷,并且低温高压退火后漏电流密度的降低对应于电荷陷阱的减少.低温下的HPA作为高k/金属栅极结构的后金属化退火工艺显示出巨大的潜力,因为它具有不希望的效果,例如Al扩散到介电层中. 在本论文的第二部分中, 针对通过改变工艺参数(例如偏置)来制造MOS电容器,以顺序和连续

层蚀刻的形式使用具有射频 (RF) 和Ar/Cl混合物的等离子体的效应,使用原子层沉积Al2O3高k栅极电介质和TiN金属栅极的金属氧化物半导体电容器,然后集成顺序层蚀刻 (sALE) 和连续层蚀刻(cALE) 进行比较以进一步蚀刻下来并制造高质量的MOS电容器. 为了进一步研究, 还分析了 C-V, C-V 滞后, EOT, I-V, 跨导 (gm) 等电气特性. 一个重要的结果/结果表明, 顺序层蚀刻是抑制漏电流密度(Jg) 的合适选择, 获得良好的电容,正平带偏移.此外,在MOS电容器上进行连续层蚀刻可以实现更低的氧化物陷阱电荷 (Qot) 和界面态密度 (Dit). 在本论文的

第三部分, 通过在500⁰C ~ 600⁰C的低温下应用连续层刻蚀和高压退火,制造了一种改进的电学特性和低损伤的超薄SiGe FinFET. SiGe FinFET可以有效抑制结泄漏, 因此在 VD = -0.1V 时实现了高 ION/IOFF 比 (3.38 × 106 A/µm). sALE 蚀刻的 FinFET 显示出较小的负阈值电压偏移, 在较低鳍片宽度下改进的 DIBL 以及增强的有效迁移率和较低的界面陷阱密度.由于cALE FinFET阈值电压的突然负移和sALE FinFET的改进情况,DIBL受到很大影响.sALE的DIBL为130 mV/V和172 mV/V的cALE,鳍片宽

度为40 nm. 根据理解结果,顺序层刻蚀可以各向异性地刻蚀具有较低表面粗糙度的垂直SiGe Fin结构. 此外,对鳍结构进行高压退火,以恢复等离子体连续蚀刻过程中造成的损坏.sALE 蚀刻 FinFET 的最低表面 (RMS) 为0.17 nm, 而 cALE FinFET的最高RMS为0.28 nm. 对于通过连续层蚀刻技术蚀刻的SiGe FinFET,在鳍宽度= 40 nm 和栅极长度= 100 nm 时获得了88 mV/dec 的最低亚阈值摆动. 根据本研究的结果发现, 在制造 FinFET 器件的高功率方法中,与MWA相比, 顺序层蚀刻技术和高压退火比连续层蚀刻更可靠和成功.

探討3D VR芳香療法2.0虛實結合課程對機構老人身心健康之成效

為了解決Single damascene vs 的問題,作者劉冠儀 這樣論述:

背景:機構老人因行動不便、生活空間受限、社會行為退化,影響身心健康狀態,而近年來3DVR及芳香療法在醫療照護及舒緩身心功能的成效已愈來愈越受到肯定與認同。本研究即以3DVR與芳香療法的虛實結合課程,讓長者從虛實互動學習中,舒緩身心壓力,提升生活品質。方法:本研究採立意取樣,研究對象為北部地區2家機構60位老人,區分實驗組與對照組,分別以憂鬱、壓力、身心症狀、焦慮等問卷蒐集介入前、後身心健康狀態的變化情形,再以SPSS-23.0進行成效分析,以瞭解本研究虛實結合課程介入前、後的差異。結果:研究表明性別、年齡及教育程度並不會影響機構老人參與虛實結合課程之學習動機。而經廣義估計方程式(GEE)分析

結果,憂鬱狀態、壓力狀態、身心症狀狀態、焦慮狀態等身心健康狀態均有顯著的改善。而腦波檢測結果,則發現本研究對專注力的提升亦有影響,但仍需後續研究加以驗證。結論:本研究在3DVR芳香療法2.0虛實結合課程實施後,能改善老人身心健康狀態並強化學習動機。未來繼續以創新科技的虛實結合模組,連結健康促進的要素,做更深更廣的課程開發與推展,以符應社會人口高齡化的需求,達到持續照顧老人身心健康的目標。