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元智大學 光電工程研究所 陳念波所指導 郭淑津的 材料消光係數對有機發光元件高階共振薄膜效能之影響 （2008），提出中一電工金屬面板關鍵因素是什麼，來自於有機發光二極體、微共振腔、色度座標、介電質鏡、四分之一波長堆疊、非全四分之一波長堆疊。
材料消光係數對有機發光元件高階共振薄膜效能之影響
為了解決中一電工金屬面板 的問題，作者郭淑津 這樣論述：
有機發光二極體顯示器(OLEDs) 具備自發光特性、敏捷的反應速度、寬廣的可視範圍、低的耗電量、清晰的對比、面板厚度薄、重量輕並具備可撓曲等優勢，適用於各種環境，並具有高競爭力。有機發光材料擁有寬的發光頻譜，可以藉由外加的光學結構來純化色彩。如本文所探討的薄膜微共振腔體結構，類似採用在半導體雷射元件裡發展成熟的微共振腔(microcavity) 裝置。我們將此微共振腔結構建立在有機發光元件中電極與玻璃基板之間。一般我們所知道的微共振腔由一對反射鏡與腔體組成；其中一個反射鏡是陰極金屬，另一個反射鏡是薄膜堆疊鏡，是由高/低折射率的兩種介電質薄膜層組成，以四分之一波長光學厚度相互堆疊形成介電質鏡稱
為quarter wave stack(QWS)。本研究採用QWS 並且安插更高倍數光學厚度的介電質層來改變共振腔的共振特性，稱為高階共振薄膜。並考慮一般研究忽略的腔體有機材料的消光係數(extinction coefficient) 對介電質鏡反射相位所產生的影響，模擬共振後光強度頻譜的改變。利用不同的膜層堆疊組合，進而設計出合適的腔體結構，而獲得理想的色彩輸出。