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國立臺北科技大學 機械工程系機電整合碩士班 魏大華、陳洋元所指導 陳宜暉的 超薄型高效率鉍-銻-碲熱電元件之研究與製作 （2018），提出大華 金屬 1111關鍵因素是什麼，來自於能源、熱電材料、磁控濺鍍、碲化鉍、碲化銻。
而第二篇論文中原大學 化學工程研究所 劉偉仁所指導 葉愷原的 稀土離子活化新穎螢光粉之發光特性探討及其應用 （2014），提出因為有 螢光粉、固態法、稀土離子、白色發光二極體的重點而找出了 大華 金屬 1111的解答。
超薄型高效率鉍-銻-碲熱電元件之研究與製作
為了解決大華 金屬 1111 的問題，作者陳宜暉 這樣論述：
在當今世界，能源問題已得到深入討論。大多數科學家致力於尋找有效的替代能源。因此，本研究希望通過半導體的熱電特性和熱能轉換為電能來幫助解決能源問題。最近，微結構化元件已經在日常生活中廣泛使用，例如：中央處理器、氣體傳感器和光感測元件。通常，微結構化元件由於尺寸小而表現出更好的性能和更低的能源消耗。在相同的情況下，微結構熱電元件是相當有前瞻性的產品，具有其寶貴的應用。通常，熱電裝置有兩個功能，其一是將電流轉換為溫度梯度，另一方面是根據溫差產生電能。本研究是將一種製備微結構熱電元件以提高熱電性能的新方法。首先，利用半導體製程中的黃光製程，在二氧化矽基板(SiO2)上定義結構圖形，再透過電子束蒸鍍機
(E-beam evaporator)沉積鉻-金作為下電極。再者，透過RF濺鍍機(Sputter)沉積半徑為1mm的p型（Bi0.5Sb1.5）Te3和n型CuI0.002Bi2（Te2.7Se0.3）柱。最後，將鉻-金作為上電極沉積在p-n行半導體材料上，作為串連導線。在二氧化矽基板(SiO2)上製備微結構熱電元件，該元件內含有128對柱狀n型和p型半導體材料，其總體面積為35毫米平方，高度為10 微米的尺寸大小。從發電結果來看，熱電微結構器件在小的溫度梯度下顯示出大的輸出功率。總而言之，本研究不僅擴展了熱電的潛在應用，而且還提供了實用的元件設計和材料開發。
稀土離子活化新穎螢光粉之發光特性探討及其應用
為了解決大華 金屬 1111 的問題，作者葉愷原 這樣論述：
本論文主要依據螢光體設計原理，探討使用稀土離子活化新穎矽酸鹽螢光材料的合成、發光特性與機制及評估其在白色發光二極體之應用潛力。本研究利用固態反應法，於空氣或還原氣氛(氫氣/石磨)下進行燒結，成功合成摻雜稀土離子(Ce3+、Tb3+、Eu3+、Eu2+)的NaCaGaSi2O7、K2Ba5Si12O30、BaBeSiO4、NaCaBeSi2O6F等螢光材料，並利用X光粉末繞射、場發電子顯微鏡、螢光光譜與螢光生命週期進行上述材料之晶體結構、表面形貌、發光特性、色度學、熱穩定性與螢光衰退時間之鑑定。本論文第一部份先探討三價離子(Ce3+、Tb3+、Eu3+)活化NaCaGaSi2O7主體的螢光體材
料特性，考慮價數平衡採用Li+進行電荷補償，其展現Ce3+離子 f→d 躍遷寬帶特徵峰，Tb3+與Eu3+離子 f→f 躍遷特徵窄峰，且有利於UV波段上的激發；第二部份探討Eu2+離子活化K2Ba5Si12O30、BaBeSiO4、NaCaBeSi2O6F等主體的螢光材料特性，其展現Eu2+離子 f→d 躍遷的寬帶波段，因5d軌域易受晶場作用而產生分裂，本研究可觀察到離子半徑差異越大，發光中心5d軌域分裂越大，以致造成上述螢光體發光波長紅位移現象，將具有潛力的綠光K2Ba5Si12O30:Eu、藍光BaBeSiO4:Eu2+螢光體進行白色LED封裝並討論其發光特性，使用藍光BaMgAl10O1
7:Eu2+商品、綠光(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+商品、紅光CaAlSiN3:Eu2+商品與搭配365 nm波長UV晶片。上述螢光體分別放射藍光、綠光、紅光等不同色光，除可提供LED製作中螢光粉應用的新選擇之外也可避開了專利的束縛，且具有照明應用的潛力。