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國立成功大學 機械工程學系碩博士班 蔡南全所指導 黃晟銘的 利用光學量測迴授之仰面式化學機械研磨控制系統 （2012），提出變頻加壓馬達缺點關鍵因素是什麼，來自於化學機械研磨、回授線性化、適應性控制器、光學量測。
最後網站加壓馬達構造 - KBMW則補充：痾唔出屎 將加壓泵浦儘可能安裝於水源附近以減少吸入揚程提高運轉效率本加壓本篇主要論述變頻與一般馬達的構造原理種類優缺點等作比較觀察其兩者有何差異. 壓力開關原理: ...
電力品質(第二版)
為了解決變頻加壓馬達缺點 的問題，作者江榮城 這樣論述：
本書由電力品質實務、電力諧波應用、電壓閃爍應用至電磁暫態實例等，皆有詳細解說，並探討電力品質之污染源、影響對象、管制標準與改善對策，以由淺入深的方式收錄作者近二十年來從事電力品質背景量測、管制標準制訂、污染防治與改善對策等相關實務經驗與事故診斷案例說明。本書作者經歷豐富，曾多次受邀於國內公司機關發表專題演講，以及為台電草擬第一版電力系統諧波管制標準，並在隔年公告實施。本書適用於科大電機系「電力品質」課程學生或是電機工程從業員與開業電機技師自修與設計使用。 本書特色 (1)國內惟一由理論與實務結合之電力品質課程教材，文中引用之圖表以實測資料為主。 (2)本書出自十幾年電力品質實務
經驗之台電電機博士專家之作品。 (3)本書有系統編輯目前工業界所關心之不良電力品質種類、產生原因、影響對象、管制標準與改善對策。 (4)本書以實際台電圖審計算例，介紹電力諧波、電壓閃爍與電磁場之計算技術。
利用光學量測迴授之仰面式化學機械研磨控制系統
為了解決變頻加壓馬達缺點 的問題，作者黃晟銘 這樣論述：
在超大型積體電路(Ultra-large-scale Integrated, ULSI)中化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是目前唯一能提供晶圓金屬層和介電層全面平坦化(Global Planarization)之技術，然而，傳統化學機械研磨機台包含許多缺點(如研磨終點之不確定性、化學研磨液浪費導致污染問題、研磨時間長與成本高等諸多問題)。本研究主要設計一仰面式化學機械研磨系統(Face-up Chemical Mechanical Polishing System)與提出控制策略，藉由光學測量迴授並對此系統進行閉迴路即時控制。仰面式化學機械
研磨系統主要由晶圓載台(Wafer Carrying Platform)、研磨墊載台(Pad Carrying Platform)、磁控加壓模組(Magnetic Drive Pressurized Module)與控制器(Controller)所構成。晶圓載台透過撓性聯軸器與感應馬達連接進行傳動，透過所搭配的變頻器使感應馬達產生定速轉動使得CMP正常運作。雷射位移感測器即時量測出工件表面粗糙度後透過電腦運算，藉由2D高精密位移平台(High-precision Linear-motor Stage)驅動上方的移動加壓塊到預研磨位置，並透過磁控加壓模組對系統產生環狀施壓，克服傳統上晶圓的內環面
與外環面加工不一致的情形發生，達到快速平坦化，故可以使得每片工件處理的時間降低，不僅大幅節省成本也可提高產能。 首先，本論文利用接觸力學、能量法、電磁學理論推導CMP以及磁控加壓模組之系統動態，並對其進行電腦模擬分析。就控制觀點而言，仰面式化學機械研磨系統為一開迴路不穩定且非線性的系統，故本研究以回授線性化(Feedback Linearization)的方法設計一參考模型適應控制器(Model Reference Adaptive Controller)來進行閉迴路控制，使其能夠穩定而又能準確算出材料移除率(Material Removal Rate, MRR)。 最後，本研究成功地製作
了一個仰面式化學機械研磨控制系統之雛形，搭配訊號處理模組(即資料擷取卡NI 9215)及介面軟體(LabVIEW)進行實驗驗證。由實驗結果得知，本論文所設計之仰面式化學機械研磨能夠將工件的粗糙度降低約88%，加上閉迴路控制後更能使研磨狀況大幅改善，大致上克服了傳統化學機械研磨機台的諸多缺點。