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國立高雄科技大學 光電工程研究所 陳忠男所指導 陳章傑的 CMOS-MEMS反射式紅外線吸收層之研究 （2020），提出金屬 Panasonic 開關關鍵因素是什麼，來自於CMOS製程、吸收率、反射式紅外線吸收層。

而第二篇論文國立聯合大學 電機工程學系碩士班 馬肇聰所指導 辜振瑝的 氮化鎵高電子移動率電晶體於三相電力轉換器之應用 （2019），提出因為有 寬能隙、氮化鎵、碳化矽、高電子移動率電晶體、電力轉換器的重點而找出了 金屬 Panasonic 開關的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了金屬 Panasonic 開關，大家也想知道這些：

CMOS-MEMS反射式紅外線吸收層之研究

為了解決金屬 Panasonic 開關的問題，作者陳章傑 這樣論述：

本研究提出相容於CMOS製程的反射式紅外線吸收層，藉著反射層來增加光在介質中的吸收路徑以提升吸收層的吸收率。吸收層採用台灣半導體研究中心(TSRI)提供的TSMC 0.35 μm mixed-signal 2P4M標準製程(D35)進行設計，分別將製程中的四個金屬層與兩個多晶矽層作為反射層，所涵蓋的吸收路徑長度範圍從2.9 μm到11.46 μm。本論文的吸收層以CMOS-MEMS熱電堆元件做為載台，透過量測出來的電壓訊號來探討吸收路徑對吸收率的影響，另外也設計出具有不同蝕刻孔洞的吸收層，藉此探討吸收層上的孔洞對吸收率的影響。 本研究利用COMSOL Multiphysics的

波光學模組來模擬吸收層的吸收率，根據模擬得到的吸收率和黑體輻射理論來計算出吸收層的吸收功率，並將吸收功率導入熱傳模擬來得到熱電偶的溫差，最後利用熱電偶的溫差、席貝克係數差以及對數來計算出元件的電壓訊號，並與元件量測出來的電壓訊號做比較。 根據模擬的結果顯示，吸收率會隨著吸收路徑的增加而提升，在紅外線吸收路徑增加到2.9 μm後，吸收率提升的幅度會趨緩，其中吸收路徑11.46 μm的吸收層有51% 的吸收率，與吸收路徑2.9 μm的吸收層相比可提升約7 %的吸收率。根據元件量測的輸出電壓顯示，量測出來的輸出電壓和計算出來的輸出電壓在不同的吸收路徑下具有相同的趨勢，其中吸收路徑11.46 μ

m的吸收層之元件有56.9 μV的輸出電壓，由於量測架構中的鍺視窗會限制不同波長的入射功率之權重，因此與吸收路徑2.9 μm的吸收層之元件相比可提升約20 %的輸出電壓。吸收層上的孔洞對吸收率的影響並不顯著，元件輸出電壓並無提升，但吸收層由於孔洞的關係而體積較小，因此元件具有較低的時間常數，能藉此提升元件的反應速度。

氮化鎵高電子移動率電晶體於三相電力轉換器之應用

為了解決金屬 Panasonic 開關的問題，作者辜振瑝 這樣論述：

過去幾十年來，減碳趨勢帶動了再生能源分散式發電及智慧電網的密集研究。其中，用來聯接綠能發電系統與電網及其他電能系統的進階電力介面是急需發展的關鍵技術之一。另一方面，許多新興科技如工業4.0與電動車等對於電力轉換器的性能需求也比傳統應用高出許多。因此，電力轉換器性能的提升在各式工業應用領域以及新式發電與配電系統中都將扮演重要的角色。近年來，文獻中報導了許多有關基於寬能隙材料如氮化鎵以及碳化矽的切換元件有極大超越傳統矽材料切換元件的潛力的資訊。有別於傳統矽單質類半導體材料製成的開關元件，寬能隙開關元件具有高耐壓、高耐熱、高速、低導通電阻的特性。若將這些優異的特性善加利用，現有的電力電子相關設備將

有機會進行全系統的改善與性能提升。本論文首先探討寬能隙元件的特性、發展、現有商品、以及特殊驅動需求與現有方法。從分析寬能隙元件的特性可得知：氮化鎵高電子移動率電晶體可提供較快的切換速度以及較低的導通損耗；碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體則具有較高的耐壓以及極佳的高溫忍受力。使用此類開關元件時，驅動技術將扮演極為重要的角色。針對驅動的問題，本論文介紹了文獻中所提出所的若干安全、高效率切換寬能隙開關元件的方式以及設計方法。本研究的第二個部分為實際將氮化鎵元件應用於三相電力轉換器的性能探討。本論文使用TPH3207設計一個2kVA三相電壓源換流器並將其做為靜態無效功率補償器以進行無效功率控制功能測式

。在控制器設計方面，本文在同步參考框下設計了比例-積分以及一個以徑向基底函數類神經網路為基礎的控制器。電腦模擬以及硬體實作皆顯示以TPH3207設計的三相換流器具有極佳的性能表現，特別是操作於各項三相靜態無效功率補償器的功能性控制結果也令人滿意。

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