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國立陽明交通大學 工學院工程技術與管理學程 曾仁杰所指導 王瑞宗的 金屬(AlSiCu)濕式蝕刻均勻性改善之研究 （2021），提出鐵氟龍表面處理台北關鍵因素是什麼，來自於6吋晶圓代工、濕式蝕刻、實驗設計法。

而第二篇論文逢甲大學 化學工程學系 林永森所指導 萬祥宇的 以低溫大氣電漿聚合可撓式疏水防刮氧化矽薄膜之研究 （2020），提出因為有 鋁合金、低溫大氣電漿、氧化矽薄膜、疏水、防刮的重點而找出了 鐵氟龍表面處理台北的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了鐵氟龍表面處理台北，大家也想知道這些：

金屬(AlSiCu)濕式蝕刻均勻性改善之研究

為了解決鐵氟龍表面處理台北的問題，作者王瑞宗 這樣論述：

在現今的6吋晶圓製造代工廠，因製造成本太高需不斷做降低成本的活動，來維持競爭力。本研究以L公司的大宗產品金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)作為降低成本的改善對象，利用本人工作相關的經驗，選擇金屬(AlSiCu)蝕刻製程均勻性(U%)做改善研究。因現況使用單一酸槽式批次生產機台做金屬(AlSiCu)濕式蝕刻，其均勻性(U%)不佳需經過2道金屬(AlSiCu)濕式蝕刻且總蝕刻量要百分之一百五十才能將需蝕刻的材料蝕刻乾淨，不僅製造工序多而且生產週期也長，整體成本隨之增加。回顧相關文獻與教科書籍

，蒐集「金屬濕式蝕刻機台研究」、「金屬蝕刻液研究」及「濕式蝕刻製程參數研究」三大類金屬濕式蝕刻相關文獻，得到影響金屬(AlSiCu)濕式蝕刻的因子。另外蒐集「矩陣實驗設計」及「田口式實驗設計」之實驗設計相關文獻，兩者一起運用在本研究以最少的實驗條件成本並可對金屬(AlSiCu)濕式蝕刻均勻性(U%)得到改善。本研究使用單槽式批次生產機台並利用特性要因-魚骨圖列出機台面、製程面、治具面及蝕刻液面總共11項影響因子。本研究先分四組利用矩陣實驗(28次)找出4項控制因子。再利用田口式實驗設計4因子3水準L9(34)找出影響的控制因子及水準。本研究實驗得到金屬(AlSiCu)濕式蝕刻均勻性(U%)最佳

化條件為：手臂(Robot)擺盪頻率60次/分鐘、鐵氟龍晶舟(Teflon cassette)傾斜度20度、酸液幫浦(Chemical pump)循環速率18 公升/分鐘及氮氣氣泡(N2 Bubble)流量15公升/分鐘，均勻性(U%)平均5.9%，確實達到預期的改善均勻性(U%)目標

以低溫大氣電漿聚合可撓式疏水防刮氧化矽薄膜之研究

為了解決鐵氟龍表面處理台北的問題，作者萬祥宇 這樣論述：

鋁合金近年來由於其優越的機械性質，易於處理並且其廣泛的工業應用而成為重要的材料，特別是在航空航天和家庭工業中[1,2]。鋁合金最顯著特徵是具有薄、有粘附性和保護性之表面氧化膜，因此具有耐腐蝕性。但鋁合金具有反應性，在水中容易腐蝕[3]。鋁合金在這些應用中的主要缺點是容易腐蝕，特別是在含有Cl-離子，甚至微量的Cl-的水性環境中[3]，這限制了鋁合金的應用。鋁成分對人體是有傷害的，鋁製器皿一直是家居生活中最常用的器具，如果使用不當，對人體健康有很大的傷害。鋁製品所帶來的危害最終還是鋁本身。鋁製品中含有鋁、鋅、銅等金屬元素，這些雜質都具有致癌作用，尤其是對老年人，如果攝入過多的鋁，最易患老年痴呆

症和骨折。鋁製品傷害人體已是世界定論。可是，鋁製品便宜、輕便，目前仍被廣泛使用，特別適用在食品上的製品，如烤盤。原本烤盤上的配方是Teflon但因製造「鐵氟龍」時添加的「全氟辛酸（Perfluorooctanoic acid;PFOA）」可能對人體有害。因此在鋁合金上鍍上一層能抗刮疏水層的膜來代替鐵氟龍就非常重要了。固本研究以此為目標。 由於低溫大氣電漿 (Low temperature atmospheric-Pressure Plasma)具有鍍膜速率快、室溫製程、及不用抽真空進行聚合薄膜等優點，本研究主旨在以低溫大氣電漿聚合沉積SiOxCy薄膜SiOxCy於可撓式1050鋁合金，探

討加入不同單體將SiOxCy薄膜鍍膜於可撓式鋁合金基板以及不同氮氣氧氣流量的變化，提升可撓式鋁合金基板疏水性質及防刮性質。以Pencil test與防刮測試基板的表面硬度與防刮刮能力，經低溫大氣電壓聚合之Al/SixOyCz防刮能力可達100g重91次之防刮測試，而去離子水之接觸角可由78.8˚提升至124.7˚。

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