陽極氧化鋁模板的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和整理懶人包

陽極氧化鋁膜/鋁線材微結構對電性之影響

為了解決陽極氧化鋁模板的問題，作者王聖方 這樣論述：

導線結構大部分為外覆高分子PVC的金屬線，普遍不耐高溫、酸鹼、磨耗以及嚴苛氣候，PVC絕緣外層耐溫僅60℃，隨著PVC老化並脆化，絕緣性降低，陶瓷層優異的材料特性可以解決此高分子的使用限制，用以取代傳統導線，完全不會有過熱燃燒起火問題，本研究使用陽極處理氧化鋁，作為絕緣層，PVC體積電阻 >1012 Ω - cm ，但氧化鋁卻有 >1014 Ω - cm ，相差百倍。以鋁線為芯材，表面用陽極處理生成氧化鋁作為絕緣層，作法如下：鋁線當作陽極，陰極選取石墨板為惰性電極，草酸為電解溶液，通電使鋁線材表面氧化形成氧化鋁薄膜，其化學性穩定，不受酸鹼腐蝕，氧化鋁熔點2,072°C，即使500°C下，體積

電阻率仍有1014 Ω - cm ，介電擊穿電壓有18KV/mm，氧化鋁不可燃、耐酸鹼、幾乎沒有壽命侷限。習知陽極氧化鋁是高密度堆積六角形孔洞，可填塞色料發色，其孔洞緊密排列，且氧化鋁膜緊密附著在鋁基材，可完整均勻包覆鋁線，空氣中當電壓小於10000V時不導電，電阻為無窮大，但電壓大於10000V時，空氣就會被擊穿而導電，設計氧化鋁作為絕緣層，再有孔洞提供的空氣電阻，研究陽極氧化鋁當作導線絕緣層的可行性。以CVD和PVD在金屬上披覆陶瓷，難以避開披覆層剝落問題，本研究選用工業用純鋁，先研磨將鋁表層氧化層去除，再浸泡氫氧化鈉，為了清潔表面，接著浸泡硝酸溶液中和殘留氫氧化鋁，同時表面敏化，再以化學

拋光將表面平整化，以利於進行陽極處理時能平均分布電荷。鋁基材之表面粗糙度與化學拋光後表面粗糙度成正比，2000號砂紙研磨所得粗糙度為0.72μm，足以有利於後續氧化鋁生長，10%草酸50V生成之微結構孔洞小，且可生成厚度35.92μm，此厚度為最佳電阻>2000MΩ。因氧化鋁因成長張應力產生沿線材方向的裂紋，而在裂紋處電擊穿，雖然已達到高絕緣電阻，但裂紋缺陷有擊穿後電阻出現，其氧化鋁膜成長厚度約每增加10V之電壓，厚度增加1倍，使用兩段式陽極處理，第一段使用30V，第二段使用50V，經由第一段10min以上製造緻密表層，再加上第二段加速生長，以達到最佳絕緣，第一段30V陽極處理需要大於10mi

n，而第二段加速生長其需要大於30min才能生長出能抵抗1000V高壓之絕緣電阻，再經由披覆凡力水，先隔絕氧化鋁與大氣接觸吸收水份，並填補應力產生裂紋，達到最高絕緣電阻之導線，製作出來之AAO最高耐電壓1000V下接近∞，並進一步解決具氧化鋁外層導線的彎折裂開問題，撓曲90度仍能抵抗250V直流電壓，工作溫度達450℃。

以陽極氧化法製備氧化鎢奈米管狀結構與特性分析

為了解決陽極氧化鋁模板的問題，作者陶崇淵 這樣論述：

以陽極氧化鋁(AAO)模板成長奈米結構陣列因其製備方式簡便、快速和低成本的緣故在近幾十年引起了關注。然而目前所有的奈米結構陣列多偏為奈米點或是奈米柱，使用陽極氧化鋁(AAO)製備管狀金屬氧化物結構很少被研究，因此開發這種技術將是勢在必行的。本篇論文中主要是以陽極氧化鋁模板成長三氧化鎢(WO3)奈米管，在矽基板上陽極氧化Al/W層(成長AAO之模板)，並研究其生長機制。當W6+離子的遷移路徑被氧化反應中鎢金屬的氧氣氣泡所中斷時，形成管狀WO3奈米結構。WO3奈米管的生長機制被確定在Al/W層介面處自下而上生長，其獨特的管狀奈米結構和優異的表面積體積比在光響應和HER應用中得到了提升。而為了瞭解

硫對氧化鎢奈米管之間的反應，利用硫對氧化鎢奈米管進行熱退火處理的過程，研究觀察其反應的機制，在退火溫度使用為800度並控制硫化時間的工作環境下，透過SEM可以觀察到經過硫化處理的奈米管依舊保有奈米管的結構，並再對硫化過的奈米管進行不同波段光源的反應感測，也對硫化處理過後的奈米管進行各種量測分析。關鍵字:陽極氧化鋁、奈米管、氧化鎢、二硫化鎢、光感量測。