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中原大學 電子工程研究所 鍾文耀所指導 彭宗建的 具有電源監控功能的LLC諧振控制器IC設計 （2016），提出電源供應器550w關鍵因素是什麼，來自於LLC諧振、電壓控制頻率、脈波頻率調變。
而第二篇論文明新科技大學 光電系統工程系碩士班 江政忠所指導 孫偉強的 利用脈衝磁控濺鍍製備氮氧化矽薄膜於廣波域及廣角度抗反射鍍膜之應用 （2015），提出因為有 氮氧化矽、抗反射薄膜、氮化矽、廣波域、廣角度、脈衝磁控濺鍍的重點而找出了 電源供應器550w的解答。
電源供應器550w進入發燒排行的影片
之前TechaLook有開箱介紹過NZXT的電腦機殼，NZXT 的Phantom 幻影系列抓住了很多玩家們的目光。而今天開箱的是 NZXT Hale82 V2 系列的電源供應器 550W/ 700W。
話說市面上電腦供應器百百款， NZXT Hale82 V2 系列電源供應器 550W/ 700W擁有非常創新的雪白外觀配色，再加上黑白的顏色元素，首創PSU內部使用白色PCB電路版的設計，在黑壓壓PSU之外提供了玩家們另外的一種選擇啊!!!
NZXT Hale82 V2 PSU 550W/ 700W 配有13.5公分智能控制靜音風扇，並通過80 PLUS銅牌省電節能認證，在安裝上也是非常方便，擁有全模組化設計/使用扁平線材；接線背版亦有明確的文字說明指示，不怕會裝錯啦~ 550W和700W可以滿足一般使用者的需求，最重要的是白色的外觀可以搭配白色機殼或是讓大家的電腦機殼顏色更加亮眼囉!!!
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具有電源監控功能的LLC諧振控制器IC設計
為了解決電源供應器550w 的問題，作者彭宗建 這樣論述：
本論文主要實現一具有電源監控功能的LLC諧振控制器。此諧振控制器內建電壓控制頻率電路作脈波頻率調變，同時內建電壓監控電路作異常電壓的保護。首先分析諧振轉換器工作，以SPICE模擬分析LLC諧振半橋轉換器電路，實現具有電源監控功能的LLC諧振控制器，將設計階段模擬波形和實際控制器波形作確認，最後在電源系統作晶片測試，驗證晶片設計和實測的一致性。
利用脈衝磁控濺鍍製備氮氧化矽薄膜於廣波域及廣角度抗反射鍍膜之應用
為了解決電源供應器550w 的問題，作者孫偉強 這樣論述：
光學鍍膜中有兩個重要的課題，一是開發具有良好光學特性、機械特性及環境穩定性的薄膜材料；二是開發新的光學多層膜設計方式。而新薄膜材料的開發有助上述兩個課題的研究，本文所述利用一個現有之薄膜材料混合出所需特性的混合薄膜是具有實驗價值的技術。一、氮氧化矽混合氣體流量比之研究： 本實驗使用自製直流脈衝磁控濺鍍系統製鍍高低折射率材料，透過不同的氮∕氬氣體流量比與脈衝開關時間比製鍍Si3N4 (Silicon nitride)薄膜，由（Proportional-Integral-Derivative，PID）控制製程，製鍍SiO2 (Silicon dioxide)薄膜，透過不同氮∕氧流量比製鍍S
iOxNy (Silicon-oxynitride) 薄膜，可準確控制薄膜折射率。製鍍Si3N4薄膜的矽靶功率設定在550W，則on/off time：30/40μs；氮/氬流量比為12/20sccm，Si3N4薄膜在波長550 nm的折射率為1.958，消光係數在波長550nm後皆小於10-4 。製鍍SiO2薄膜矽靶功率設定在500 W，則on/off time：30/40μs；氧氣以PID控制在8~9 sccm；氬80 sccm，SiO2薄膜在波長550 nm的折射率為1.45，且消光係數非常小。以前面Si3N4薄膜最佳條件為基礎，充入氧氣製作SiOxNy薄膜，折射率可控制在波長550 n
m為1.958至1.48，消光係數趨近於0為弱吸收薄膜，殘留應力約-0.2519~-0.5232 GPa，表面粗糙度約0.750~1.330nm。二、抗反射薄膜之研究： 利用上述實驗高折射率的Si3N4薄膜、低折射率的SiO2薄膜及可調控折射率SiOxNy薄膜來設計出一廣波域廣角度之抗反射薄膜。設計3種抗反射多層膜如H/L6層、含SiOxNy薄膜3層設計、含SiOxNy薄膜8層設計，其中3層設計以較少膜層獲得較好的光學特性與機械特性，平均反射率在400 ~700 nm 入射角0度時降低了0.06%，優於H/L6層設計；8層設計波域由400 ~ 700 nm拓寬至400 ~ 850 nm，入射
角在60度平均反射率低於4%，但機械特性較差。最後將3層設計最外層SiO2薄膜改為SiOxNy¬薄膜，目的提升抗反射多層膜之硬度，為12.37 GPa。