Bosch 烤箱PTT的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和整理懶人包

不同固含量對於聚亞醯胺光操控電阻式記憶體特性之影響

為了解決Bosch 烤箱PTT的問題，作者劉彥均 這樣論述：

電阻式記憶體因其具有高度微縮性、高操作速度、高密度、低功耗以及結構簡單等優點，故為新穎非揮發性記憶體裡最有前景的元件。電阻式記憶體中阻值轉換層的不同，也會改變記憶體之電性與機制。目前電阻式記憶體較常見的材料為高介電材料，而聚亞醯胺 (polyimide, PI)薄膜也越來越多人研究，由於聚亞醯胺電阻式記憶體其低成本、結構簡單，最重要的是具有良好的微縮前景，故可以應用之範圍非常廣泛。本實驗室近幾年積極開發聚亞醯胺薄膜，為了改善元件之電性，藉由調控聚亞醯胺的製程參數，例如聚亞醯胺高分子 (Polyamic Acid, PAA)的調配、摩擦配向 (Rubbing)等。有機半導體電與光特性的迅速成長

，使其在各種光電應用中具有良好的前景。近年來，有機光記憶體相關研究蓬勃發展，並已開發出具備不同操作模式與特性表現之各種不同結構的光記憶元件。然而，目前光記憶體元件均使用電荷陷阱機制做為記憶阻態轉換的方法，此方法使得元件其結構與材料複雜，操作不易，且元件微縮困難。為了改善其在微縮下所面臨的速度、可靠性、與總量方面等問題。在機制部分，本篇論文分別從電性方面以及物性方面提出證明，並藉由調變不同固含量的聚亞醯胺薄膜，針對元件可靠度方面進行改善方面之研究。

聚亞醯胺薄膜經過照光後其光電特性與其應用在記憶體元件之可能性

為了解決Bosch 烤箱PTT的問題，作者徐文祈 這樣論述：

聚亞醯胺(polyimide, PI)薄膜作為 電阻式記憶體 的阻值轉換層是本實驗室近幾年來積極開發的研究方向，而為了讓元件的特性達到更高的標準，本團隊調控聚亞醯胺薄膜的製程參數，如聚醯胺酸高分子 (Polyamic Acid, PAA)的調配、PAA製程環境、脫水環化溫度、摩擦配向技術 (Rubbing) 以及上下電極的選擇等，這些製程上的變化也確實改善高分子的電阻式記憶體許多特性。延續本 研究團隊目前的研究成果，加上愛因斯坦光電效應理論以及能量切換苯環單雙鍵之說，本論文將在操作方法上做出變化，不同於以往用電操作ReRAM在此將首次提出用光來操作PI-ReRAM，讓UVB照射PI薄膜表面後

，使得載子被光能激發促使PI薄膜內苯環從芳香鍵轉為醌型，使得能隙變小，整體電阻率急速下降，阻態進入低阻態。本論文最終目標在於，用光照操作支援或取代難以使用電操作的記憶體元件，在元件微縮的現今，flash結構中的穿隧層更容易被擊穿，而產生漏電流，如果從上方寫入/抹除，將可解除抉擇穿隧層的厚度壓力，但由於從上方寫入/抹除，也使得其需更大的電壓才能讓電子寫入/抹除，這邊讓本實驗室萌生一種新穎結構，PI薄膜代替上方寫入/抹除的穿隧層，利用ReRAM開關的特性，來讓電子寫入/抹除，但此結構碰到最大問題在於，如何操作PI-ReRAM，一般的ReRAM都需一個電流迴路，使阻值轉換層得以切換阻態，PI-ReR

AM的電操作方法也是如此，故解決PI阻值轉換層的操作手法變得格外重要。本論文將藉由【PI薄膜電阻率變與不變 】、【照光PI薄膜的電流機制】、【照光造成PI薄膜切換次數】以及【不同光強度造成PI薄膜維持在LRS時間】等實驗，來更了解聚亞醯胺薄膜經過UVB照射後其光電特性與其應用在記憶體元件之可能性，使PI薄膜未來能應用於更多記憶體元件之上。