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Damascene的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和整理懶人包
Damascene的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦許履塵寫的 智財拼圖競賽：發明要順應人性 和Nojiri, Kazuo的 Dry Etching Technology for Semiconductors都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自元照出版 和所出版 。
國立陽明交通大學 電子物理系所 趙天生所指導 陳威諺的 應力對於側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體結晶性及可靠度之影響 （2021），提出Damascene關鍵因素是什麼，來自於多晶矽、應力、閘極全環繞電晶體、結晶性、可靠度。
而第二篇論文國立臺灣科技大學 機械工程系 郭俞麟所指導 蔡志旻的 常壓電漿噴射束製備銀銅合金薄膜之研究 （2021），提出因為有 常壓電漿噴射束、銀銅合金、導電薄膜、鍍膜的重點而找出了 Damascene的解答。
智財拼圖競賽：發明要順應人性
為了解決Damascene 的問題，作者許履塵 這樣論述：
公司建立智財有如在玩拼圖遊戲，唯有當整塊圖形被拼出來後，這塊智財才算被完整地建立。本書介紹構成這拼圖中主要的模組，包括：創意構想、科技、法律和商業，四塊缺一不可。模組與模組之間，相互牽連、彼此共存。公司除了要訓練出一批極具創發力的研發人員，要捨得投資高科技前瞻研發外，在進行研發的過程之中，定時檢驗產出的技術和產品，是否順應人性？是否具有廣大市場及商業價值？要有技巧、有規劃地尋求合適的法律手段來保護研發成果。本書四大篇幅之中，討論上述各個模組，舉出成功和失敗的例子。書中並公開揭露無數作者提供的新創意點子和中英文專利字彙對照表，供讀者們參考。
Damascene進入發燒排行的影片
#BLACNPAIN 寶珀擅長藝術面盤腕錶，此次採用少見的大馬士革鑲嵌技法，結合精雕五爪金龍，打造出氣韻生動的 #Villeret 龍雕腕錶。建議售價：約台幣349萬。
應力對於側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體結晶性及可靠度之影響
為了解決Damascene 的問題，作者陳威諺 這樣論述：
多晶矽因為其易堆疊性與低製程熱預算而被視為未來有機會實現三維晶片的材料，然而，多晶矽因結晶性較差而有較低的載子遷移率，進而影響其電性表現。為了使多晶矽元件能達到三維晶片電性需求，提升多晶矽結晶性成為實現三維晶片的重要的課題。在本篇論文中，我們成功製作出側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體，並利用改變上層氮化矽厚度施加更大的應力於通道，藉此製作出結晶性更佳的電晶體。我們製作出上層氮化矽為 40 奈米、60 奈米及 80 奈米的多晶矽電晶體，並透過材料分析與電性比較來研究應力與結晶性的關係。研究發現，上層氮化物為 60 奈米之元件因其在結晶時感受到最大的應力，所以結晶速度最慢，最慢的結晶速度能成長出
最大的晶粒與最少的結晶缺陷。透過材料分析與電性量測，我們證實了上層氮化物為 60 奈米之元件有最好的結晶性與電性。此外，我們對不同上層氮化物厚度的側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體的溫度穩定性、閘極偏壓可靠度與熱載子可靠度做了深入的研究。上層氮化物為 60 奈米之元件因其結晶性較佳所以有較好的通道與閘極氧化層介面，因此在高溫時有較少的次臨界擺幅衰退；也因其有較佳的結晶性與較少的晶界，晶界導致的電場加強效應較不明顯，因此展現出較佳的閘極偏壓可靠度與熱載子可靠度。此外，因為熱載子造成的碰撞解離相比於閘極偏壓時的主要衰退機制-氧化層電荷捕獲有更低的活化能，因此熱載子可靠度對結晶性有更高的敏感度。總結來
說，調變應力能大幅提升元件電性與可靠度，適合應用於未來三維晶片製程。
Dry Etching Technology for Semiconductors
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為了解決Damascene 的問題，作者Nojiri, Kazuo 這樣論述：
This book is a must-have reference to dry etching technology for semiconductors, which will enable engineers to develop new etching processes for further miniaturization and integration of semiconductor integrated circuits. The author describes the device manufacturing flow, and explains in which pa
rt of the flow dry etching is actually used. The content is designed as a practical guide for engineers working at chip makers, equipment suppliers and materials suppliers, and university students studying plasma, focusing on the topics they need most, such as detailed etching processes for each mat
erial (Si, SiO2, Metal etc) used in semiconductor devices, etching equipment used in manufacturing fabs, explanation of why a particular plasma source and gas chemistry are used for the etching of each material, and how to develop etching processes. The latest, key technologies are also described, s
uch as 3D IC Etching, Dual Damascene Etching, Low-k Etching, Hi-k/Metal Gate Etching, FinFET Etching, Double Patterning etc. Kazuo Nojiri is a CTO of Lam Research Japan. He has 37 years of experience in semiconductor industry. Prior to joining Lam in 2000, he worked for Hitachi Ltd. for 25 years,
where he held numerous management positions for Dry Etching and Device Integration. He is also known as a pioneer in the research field of charging damage. He published 38 technical papers and 3 books. In 1984 he was awarded the Okouchi Memorial Prize for the development of ECR plasma etching techno
logy.
常壓電漿噴射束製備銀銅合金薄膜之研究
為了解決Damascene 的問題，作者蔡志旻 這樣論述：
化學氣相沉積(Chemical vapor deposition，CVD)，為現在半導體製程薄膜階段主要方式，原因為優良的覆蓋率與可控制薄膜厚度，真空鍍膜的技術發展至今已經相當成熟，而本實驗將使用常壓電漿噴射束來替代傳統的真空電漿，且相較於傳統真空電漿，目前常壓電漿仍有許多可發展性。本實驗將利用氬氣與氫氣混合氣做為主要氣體，氬氣作為次要氣體，並且固定頻率、功率、速度、次數與距離等條件，將改變溶液濃度0.05M與0.1M以及5種不同比例分別為純銀、10%Cu90%Ag、50%Cu50%Ag、90%Cu10%Ag、純銅，在實驗開始時會先使用熱電偶溫度感測儀來量測電漿溫度以便挑選工作距離，接下來使
用光學放射光譜儀(OES)蒐集電漿鍍膜過程所產生出的物種以及自由基，再以場發射掃描式電子顯微鏡(SEM)對觀察表面沉積以及剖面觀測薄膜厚度並且搭配Mapping來更加方便觀測，再使用X光繞射儀(XRD)來檢測表面物種，以及使用X射線螢光光譜儀(XRF)來檢測表面物種比例，最後使用四點探針檢測表面電性，根據本實驗結果可得XRD時銀的峰值明顯偏右，為置換式固融銀的FCC與銅做結合變成類似NaCl的結構，應此氧化銅比例下降，在電性上可以量測到薄膜的電阻，與純銅電阻相差不遠，固本次使用常壓電漿束可成功製成具有良好導電性薄膜。