Drain的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和整理懶人包

Migration and Development: Theory and Empirical Research

為了解決Drain的問題，作者King, Russell 這樣論述：

Migration is a defining feature of our world today, a sign of the ever-increasing globalization of our interconnected world. Migration and Development explores the nature of the relationship between migration and development, asking key questions such as: Does migration offer an effective route out

of poverty? Can it benefit migrants' countries of origin--for instance through remittances? Or does migration risk reproducing underdevelopment, via the negative effects of depopulation and brain drain? Framed by the latest theory and drawing on an exhaustive review of the latest empirical research

and ideological debates, the book offers a clear analysis of one of the most important issues of our time. Russell King is professor of geography at the University of Sussex and visiting professor of migration studies at Malmö University.

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考慮非完全游離針對隨機參雜之電晶體之電流電壓 變異性分析

為了解決Drain的問題，作者曾郁鈞 這樣論述：

根據摩爾定律的延續，電晶體在晶片裡的密度每 兩年即倍增，也因此提升工作時的表現和降低能量的消 耗。而電晶體運作時的電流機制是建立在假設電位和雜質濃度是連續的情況下的飄移 擴散模型。當電晶體隨著科技的進步發展至奈米等級的結構時，許多可靠度的問題 隨機參雜 會因此被放大，甚至破壞 原本漂移 擴散模型的假設。因此在探討這方面的問題前，我們必須要對隨機參雜的雜質做深入的探討，並且發展一個物理模型來解決 此 問題。然而，典型的物理模型卻只能考慮數量對電晶體造成的影響，而無法將雜質位置對電晶體的影響正確地考慮進去。除此之外，在典型的元件模擬中，雜質的游離率都 假設 為 100% 。但實際上在高雜質濃度

的條件下是不符合的。在高雜質濃度的條件下亦會產生能隙縮減的量子效應，進而影響了電晶體的表現。因此，為了要得到更準確的模擬結果，同時考慮這兩項因素是必須的(非完全游離&能隙縮減模型)。然而，此模型是一束縛態問題，而飄移-擴散模型是非束縛態的問題，因此不容易在典型的飄移擴散模型上考慮此模型。在此論文中，我們設計了一套新的方法，可以在飄移-擴散模型的前提下考慮隨機參雜(雜質數目、雜質位置)的影響，且同時計算出雜質的游離率和能隙縮減的量。接著利用蒙地卡羅方法探討在平面電晶體的電流電壓的變異性。

Migration and Development: Theory and Empirical Research

為了解決Drain的問題，作者King, Russell 這樣論述：

Migration is a defining feature of our world today, a sign of the ever-increasing globalization of our interconnected world. Migration and Development explores the nature of the relationship between migration and development, asking key questions such as: Does migration offer an effective route out

of poverty? Can it benefit migrants' countries of origin--for instance through remittances? Or does migration risk reproducing underdevelopment, via the negative effects of depopulation and brain drain? Framed by the latest theory and drawing on an exhaustive review of the latest empirical research

and ideological debates, the book offers a clear analysis of one of the most important issues of our time. Russell King is professor of geography at the University of Sussex and visiting professor of migration studies at Malmö University.

隨機離散摻雜在堆疊式奈米片場效電晶體源極/汲極延伸區的變異性模擬

為了解決Drain的問題，作者陳彥廷 這樣論述：

近年來，針對電子元件的隨機摻雜擾動，無摻雜通道的採用有效地緩解了此一問題。然而，對於立體結構元件的源極/汲極延伸區，其狹窄的橫切面預期了隨機離散摻雜在源極/汲極延伸區仍會造成元件特性的擾動。在此篇論文中，我們探討了隨機離散摻雜在垂直堆疊式奈米片場效電晶體源極/汲極延伸區造成的變異性，其中我們模擬了堆疊式奈米片場效電晶體在不同層數的通道堆疊下產生的直流特性變異。我們發現臨限電壓的變異性會隨著堆疊層數的增加而放大，並且隨著堆疊層數增加，導通電流與關態電流之間的變異特性有著不同的趨勢。我們發現，除了摻雜體數量變化造成的特性擾動，摻雜體的位置與摻雜體不均勻地分佈在各層通道能顯著地改變關態電流的散佈。

同時，摻雜體在源極延伸區與汲極延伸區對關態電流造成的影響也有統計上的不同，因此，藉由個別地摻雜不同濃度在源極延伸區與汲極延伸區，我們預期關態電流的變異性可以由此降低。