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damascene半導體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和整理懶人包
damascene半導體的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦許履塵寫的 智財拼圖競賽：發明要順應人性 和張勁燕的 VLSI概論都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自元照出版 和五南所出版 。
國立臺灣科技大學 機械工程系 郭俞麟所指導 蔡志旻的 常壓電漿噴射束製備銀銅合金薄膜之研究 （2021），提出damascene半導體關鍵因素是什麼，來自於常壓電漿噴射束、銀銅合金、導電薄膜、鍍膜。
而第二篇論文國立陽明交通大學 光電工程研究所 張祐嘉所指導 李承翰的 低損耗矽與氮化矽波導製程優化 （2021），提出因為有 微環共振器、矽光子的重點而找出了 damascene半導體的解答。
智財拼圖競賽：發明要順應人性
為了解決damascene半導體 的問題，作者許履塵 這樣論述：
公司建立智財有如在玩拼圖遊戲，唯有當整塊圖形被拼出來後，這塊智財才算被完整地建立。本書介紹構成這拼圖中主要的模組，包括：創意構想、科技、法律和商業，四塊缺一不可。模組與模組之間，相互牽連、彼此共存。公司除了要訓練出一批極具創發力的研發人員，要捨得投資高科技前瞻研發外，在進行研發的過程之中，定時檢驗產出的技術和產品，是否順應人性？是否具有廣大市場及商業價值？要有技巧、有規劃地尋求合適的法律手段來保護研發成果。本書四大篇幅之中，討論上述各個模組，舉出成功和失敗的例子。書中並公開揭露無數作者提供的新創意點子和中英文專利字彙對照表，供讀者們參考。
常壓電漿噴射束製備銀銅合金薄膜之研究
為了解決damascene半導體 的問題，作者蔡志旻 這樣論述：
化學氣相沉積(Chemical vapor deposition，CVD)，為現在半導體製程薄膜階段主要方式，原因為優良的覆蓋率與可控制薄膜厚度，真空鍍膜的技術發展至今已經相當成熟，而本實驗將使用常壓電漿噴射束來替代傳統的真空電漿，且相較於傳統真空電漿，目前常壓電漿仍有許多可發展性。本實驗將利用氬氣與氫氣混合氣做為主要氣體，氬氣作為次要氣體，並且固定頻率、功率、速度、次數與距離等條件，將改變溶液濃度0.05M與0.1M以及5種不同比例分別為純銀、10%Cu90%Ag、50%Cu50%Ag、90%Cu10%Ag、純銅，在實驗開始時會先使用熱電偶溫度感測儀來量測電漿溫度以便挑選工作距離，接下來使
用光學放射光譜儀(OES)蒐集電漿鍍膜過程所產生出的物種以及自由基，再以場發射掃描式電子顯微鏡(SEM)對觀察表面沉積以及剖面觀測薄膜厚度並且搭配Mapping來更加方便觀測，再使用X光繞射儀(XRD)來檢測表面物種，以及使用X射線螢光光譜儀(XRF)來檢測表面物種比例，最後使用四點探針檢測表面電性，根據本實驗結果可得XRD時銀的峰值明顯偏右，為置換式固融銀的FCC與銅做結合變成類似NaCl的結構，應此氧化銅比例下降，在電性上可以量測到薄膜的電阻，與純銅電阻相差不遠，固本次使用常壓電漿束可成功製成具有良好導電性薄膜。
VLSI概論
為了解決damascene半導體 的問題，作者張勁燕 這樣論述：
矽積體電路製程的特徵尺寸縮小到深次微米(deep submicron meter)，經歷幾個階段，0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.13μm，現階段以達到0.10μm0.07μm。相關的製程、設備、材料或場務設施，都有革命性的更新和進步。微影照像是受到影響最大的製程。DRAM的電晶體的閘極結構和材料、工程。高介電常數材料使電容量保持夠大。金屬化製程、阻障層、內嵌、快閃、鐵電記憶體結構等。高深寬比的乾蝕刻製程需要高密度電漿；降低阻容延遲(RC delay)使用低介電常數材料和銅製程。新製程有雙大馬士革(dual damascene)、電鍍(electro plating)、
無電極電鍍(electroless plating)和∕或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)。21世紀－奈米元件更製作出單電子電晶體。晶圓尺寸由8吋擴大到12吋，為的不止是提高良率、提高機器使用率；也考慮到生產力，節省工廠面積、還要兼顧人工學(ergonomics)和減少化學藥液以利環保。 本書配合拙著電子材料、半導體製程設備、工業電子學構成一完整系列。期望給想從事半導體的同學和研究生，或和半導體製程相關行業的工程師、經理、教授、老師們一項便捷的參考。 作者簡介 張勁燕 學歷：交通大學電子工程研究所博士 經歷：明新工專電子科副教授（或兼科主任）逢甲大學電子系副教授逢甲大學電機系副教授（或兼
系主任） 現職：逢甲大學電子系副教授 專長 半導體元件、物理 VLSI製程設備及廠務 奈米科技 積體電路構裝
低損耗矽與氮化矽波導製程優化
為了解決damascene半導體 的問題，作者李承翰 這樣論述：
減少波導的傳播損耗對於製造高Q值的微環共振器和大型積體光路來說是至關重要的。波導的傳播損耗主要由散射損耗與吸收損耗決定，兩者都與製程高度相關。本論文中，我們優化了矽與氮化矽波導的製程。對於矽波導的製程優化，我們優化了電子束微影的各項參數。我們發現鄰近效應修正可以使如光柵耦合器等高曝光密度的元件準確地被曝光出來，但是會引入額外的粗糙度從而增加波導的傳播損耗。我們優化了電子束微影的曝光劑量與曝光步階，製造出了Q值為2.5×〖10〗^5的微環共振器。該Q值對應的傳播損耗為3.2 dB/cm，接近商業矽光子代工廠1.2~2 dB/cm波導傳播損耗。對於氮化矽波導的製程優化，我們分別使用了電漿輔助化學
氣相沉積( PECVD )和低壓化學氣相沉積( LPCVD )等兩種不同的沉積方法來沉積氮化矽。前者有著較低的溫度並可以相容於互補式金屬氧化物半導體(CMOS)大部分的製程，而後者有著較低的材料損耗。我們透過PECVD沉積氮化矽，製造了波導寬度為1.55μm的氮化矽微環，其本質Q值可以到1.4×〖10〗^5，對應的傳播損耗為2.6 dB/cm。我們也透過LPCVD沉積氮化矽，並製造了波導寬度為1.55μm的氮化矽微環，其本質Q值可以到3.1×〖10〗^5，對應的傳播損耗為1.1 dB/cm。我們透過設計較寬的波導和漸進式耦合，更進一步減少了散射損耗，使用波導寬度為2.6μm，成功製造出了本質Q
值為6.2×〖10〗^5的微環，對應的傳播損耗為0.52 dB/cm。高Q值的微環共振器可用於光梳還有窄線寬雷射等諸多應用。