冰冷的城市需要更多的綠手指論文書籍站
dual damascene製程的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和整理懶人包
dual damascene製程的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦張勁燕寫的 VLSI概論 可以從中找到所需的評價。
國立中興大學 材料科學與工程學系所 張守一所指導 高琳潔的 電鍍銅(錸)合金薄膜自形成錸擴散阻障層之研究 （2012），提出dual damascene製程關鍵因素是什麼，來自於內連線、自形成擴散阻障層、銅(錸)合金、電鍍。
而第二篇論文國立中興大學 材料科學與工程學系所 張守一所指導 蔣勝聰的 鋁鉻鉭鈦鋯釕六元合金氮化物超薄膜疊層結構製備與擴散阻障性質之研究 （2010），提出因為有 內連線、擴散阻障層、高熵合金、氮化物的重點而找出了 dual damascene製程的解答。
VLSI概論
為了解決dual damascene製程 的問題，作者張勁燕 這樣論述：
矽積體電路製程的特徵尺寸縮小到深次微米(deep submicron meter)，經歷幾個階段，0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.13μm，現階段以達到0.10μm0.07μm。相關的製程、設備、材料或場務設施，都有革命性的更新和進步。微影照像是受到影響最大的製程。DRAM的電晶體的閘極結構和材料、工程。高介電常數材料使電容量保持夠大。金屬化製程、阻障層、內嵌、快閃、鐵電記憶體結構等。高深寬比的乾蝕刻製程需要高密度電漿；降低阻容延遲(RC delay)使用低介電常數材料和銅製程。新製程有雙大馬士革(dual damascene)、電鍍(electro plating)、
無電極電鍍(electroless plating)和∕或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)。21世紀－奈米元件更製作出單電子電晶體。晶圓尺寸由8吋擴大到12吋，為的不止是提高良率、提高機器使用率；也考慮到生產力，節省工廠面積、還要兼顧人工學(ergonomics)和減少化學藥液以利環保。 本書配合拙著電子材料、半導體製程設備、工業電子學構成一完整系列。期望給想從事半導體的同學和研究生，或和半導體製程相關行業的工程師、經理、教授、老師們一項便捷的參考。 作者簡介 張勁燕 學歷：交通大學電子工程研究所博士 經歷：明新工專電子科副教授（或兼科主任）逢甲大學電子系副教授逢甲大學電機系副教授（或兼
系主任） 現職：逢甲大學電子系副教授 專長 半導體元件、物理 VLSI製程設備及廠務 奈米科技 積體電路構裝
電鍍銅(錸)合金薄膜自形成錸擴散阻障層之研究
為了解決dual damascene製程 的問題，作者高琳潔 這樣論述：
在現階段銅內連線結構尺寸不斷微縮的趨勢之下，如何在僅數奈米等級厚度的前提下來形成一具高熱穩定性及低電阻係數的擴散阻障層，乃是半導體技術領域中的一項重要課題。因此，本研究便以電鍍法於矽基板上沉積銅(錸)合金薄膜，藉由退火製程後，在純銅薄膜與矽基板界面處自形成一薄錸擴散阻障層。經擴散阻障性質分析發現，銅(錸)合金薄膜結構於 400°C 退火後，在銅矽界面沒有銅矽化合物產生，且電阻率從初沉積時的高電阻率大幅降低，顯示所自形成之擴散阻障層具有足夠擴散阻障能力來避免銅與矽之間交互擴散並發生反應。本研究提供一種自形成擴散阻障層，能夠藉由退火製程提供優異的電性性質，且同時達到既薄又具有高熱穩定性，此潛力將
使自形成錸擴散阻障層有機會發展為下一世代超大積體電路 (ULSI) 需求之擴散阻障層材料。
鋁鉻鉭鈦鋯釕六元合金氮化物超薄膜疊層結構製備與擴散阻障性質之研究
為了解決dual damascene製程 的問題，作者蔣勝聰 這樣論述：
超大型積體電路線寬及線距不斷縮小，造成嚴重時間延遲問題，具有低電阻率及較佳的抗電遷移能力的銅已被廣泛地應用作為內連線材料；然而，在銅內連線結構中，為了克服銅原子迅速擴散進入元件內，必須在介電層與銅導線間沉積一具好熱穩定性、低電阻係數及良好界面附著性之擴散阻障層。因此，本研究便以射頻磁控濺鍍法沉積鋁鉻鉭鈦鋯釕 (AlCrTaTiZrRu) 六元高熵合金 (Senary High-Entropy Alloy，簡稱 SHEA) 及其氮化物 (SHEA Nitride，簡稱 SHEAN) 薄膜，探討其疊層結構之擴散阻障特性，以期開發出具優越擴散阻障性質之材料。薄膜沉積時同時通入氬氣及氮氣，氮氣流量比
設定為 0% 及 30%，分別可得到 SHEA 及 SHEAN0.5 (六元元素各別含量約 11%，氮含量約 32.2%，氮對SHEA比率約為0.5) 薄膜，六種金屬元素之含量則約為等莫耳；所鍍製之擴散阻障層厚設定包括 SHEAN0.5/SHEA 雙層結構 (1.5 nm/1.5 nm) ，以下簡稱 BL，以及 SHEAN0.5/SHEA/SHEAN0.5/SHEA 四層結構 (各層為0.75 nm) ，以下簡稱 QL。經擴散阻障性質分析發現，Si/BL/Cu 及 Si/QL/Cu 結構分別經過 700°C 及800°C 退火後，電阻值仍維持在低值，顯示在此溫度下 BL 疊層及 QL 疊層結構
仍能有效阻障銅矽之交互擴散；而於 900°C 退火後，開始出現大量之Cu3Si 結晶相，且電阻值急遽上升，表示此BL 疊層與QL 疊層結構已失去其阻障能力。