大馬士革鑲嵌半導體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和整理懶人包

以石墨烯當矽穿孔之導電層與阻障層行鈷鎢合金與純鈷電鍍填充

為了解決大馬士革鑲嵌半導體的問題，作者陳依詠 這樣論述：

傳統矽穿孔 (Through silicon vias, TSVs)製程屬於乾式製程，主要藉由離子蝕刻出矽穿孔，並乾式沉積二氧化矽絕緣層，再以物理氣相沉積 (Physical vapor deposition, PVD)或化學氣相沉積法 (Chemical vapor deposition, CVD)，沉積出氮化鈦 (TiN) 阻障層與銅晶種層，最後以濕式電鍍法填充金屬銅於矽穿孔中。近年發現，金屬銅與矽基材之間，經熱信賴度測試後，因兩者熱膨脹係數差異甚大，在銅、矽介面會產生相當大的熱機械應力 (Thermo-Mechanical Stress)，故在金屬銅與矽基材之間產生大量的破裂現象。因此

，本研究嘗試使用熱膨脹係數較接近矽基材、具金屬擴散阻障能力且導電性極佳的石墨烯材料，取代傳統矽穿孔製程中的氮化鈦阻障層與銅晶種層，達到降低成本及簡化製程的目的，並利用濕式電鍍法於石墨烯上沉積鈷鎢 (CoW)合金與純鈷來取代原製程的金屬銅，鈷金屬具備比銅更低的熱膨脹係數及較長的電遷移壽命 (Electromigration life time)。 本研究主要探討基礎鍍液、電鍍添加劑、電鍍參數對填孔行為之影響與熱信賴度測試，其中，電化學分析部分以線性掃描伏安法 (Linear sweep voltammertry, LSV)探討電鍍添加劑的電化學行為，藉由電化學分析結果解釋不同分子量之抑制劑搭配

單一平整劑之電鍍配方，並將其對應電鍍填孔之表現，發現電鍍配方對金屬離子還原反應的強抑制性及減少氫氣的庫倫量之行為，能達成鈷鎢合金與純鈷之超級填充。熱信賴度測試方面，本研究將填充鈷鎢合金與純鈷之TSVs於500℃的條件下，進行四小時熱信賴度測試，並於測試後利用光學顯微鏡、電子顯微鏡觀察鈷鎢合金或純鈷與矽基材介面之結構，證實熱膨脹係數較低的鈷鎢合金或純鈷搭配具金屬擴散阻障功能的石墨烯，便能有效解決TSVs製程於熱信賴度上的各種疑慮，因此，本研究所開發出的鈷鎢合金/石墨烯/矽穿孔製程與純鈷/石墨烯/矽穿孔製程，若能將其實行於工業量產，將是三維積體電路堆疊之矽穿孔製程技術的一大突破。

新式金屬結構技術開發研究

為了解決大馬士革鑲嵌半導體的問題，作者鄭謀鴻 這樣論述：

本研究採用銀金屬做為半導體元件之金屬導線材料，利用原子層沉積技術製備之氮化鈦薄膜，兼具擴散阻障層與電鍍晶種層透過表面氣體電漿轟擊與稀釋氫氟酸浸泡對氮化鈦薄膜進行表面處理，藉由改善氮化鈦表面濕潤性來觀察銀電鍍於其上的變化，並利用高溫退火實驗藉由接面二極體漏電流實驗結果，顯示氮化鈦薄膜可有效阻擋銀離子於高溫400~600 oC的擴散行為。本研究透過黃光微影系統製作出350、400以及450 nm線寬的導線模型，使用底部成長的技術，成功地將銀金屬填入導線模型。剛鍍好的銀導線結構比較鬆散、且表面粗糙。相信在退火處理後會比較完整，缺陷也會比較少。本研究也利用傳統鑲嵌式製程製作出上開口150 nm、底部

寬度84nm的導線模型，成功地將銀金屬填入導線模型中，在沒有使用任何添加劑的情況下，中央縫隙將可能會遺留，所以，我們相信在未來，添加劑的研究將會是實驗銀導線金屬化一個很重要的因素。