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另外網站戰爭之下留存至今的黃金淚珠-來自西班牙古城的傳統工藝 ...也說明：Damasquinado翻譯成大馬士革鑲嵌祂是遊歷西班牙古城Toledo的旅人熟悉的一項工藝品在古城之中大大小小的店家都有著這樣的工藝創作.
國立交通大學 材料科學與工程學系所 呂志鵬所指導 周宏諺的 CF4-O2電漿蝕刻混合型有機矽玻璃薄膜之探討 （2020），提出大馬士革鑲嵌關鍵因素是什麼，來自於混合型有機矽玻璃薄膜、蝕刻速率、折射率、表面改質、碳橋。
而第二篇論文國立中山大學 機械與機電工程學系研究所 楊台發所指導 楊雅喨的 機械應力對大馬士革鑲嵌金屬/絕緣層/金屬結構之電性研究 （2012），提出因為有 電容、低介電介電層、能障、機械應力、傳導電流的重點而找出了 大馬士革鑲嵌的解答。
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創新材料學
為了解決大馬士革鑲嵌 的問題，作者田民波 這樣論述：
《創新材料學》共分10章，每章涉及一個相對獨立的材料領域，自成體系，內容全面，系統完整。內容包括半導體積體電路材料、微電子封裝和封裝材料、平面顯示器相關材料、半導體固態照明及相關材料、化學電池及電池材料、光伏發電和太陽能電池材料、核能利用和核材料；能源、信號轉換及感測器材料、電磁相容—電磁遮罩及RFID 用材料、環境友好和環境材料，涉及最新技術的各個領域。本書所討論的既是新技術中所採用的新材料，也是新材料在新技術中的應用。
大馬士革鑲嵌進入發燒排行的影片
#BLACNPAIN 寶珀擅長藝術面盤腕錶，此次採用少見的大馬士革鑲嵌技法，結合精雕五爪金龍，打造出氣韻生動的 #Villeret 龍雕腕錶。建議售價：約台幣349萬。
CF4-O2電漿蝕刻混合型有機矽玻璃薄膜之探討
為了解決大馬士革鑲嵌 的問題，作者周宏諺 這樣論述：
旋塗式低介電多孔有機矽玻璃(OSG)薄膜已被用於探索在間隙填充解決方案之中，以克服傳統的雙大馬士革鑲嵌電漿造成的介電質損耗。混合有機矽玻璃在基體中結合了有機和無機成分以平衡機械強度和介電常數。本論文探討在CF4和CF4/O2電漿下OSG薄膜的蝕刻特性，以及蝕刻後薄膜的表面和折射率等性能之變化。具體來說,在固定的30wt.%的致孔劑下，採用甲基三甲氧基矽烷(MTMS)和雙(三乙氧基矽)甲烷(BTESM)或1,4-雙(三乙氧基矽)苯(BTESB)等以不同比例的有機矽前驅體物組成的混合OSG薄膜,進行比較。另探討在總流速為50 sccm的情況下，功率和壓力對蝕刻速率的影響。並研究不同碳橋OSG(M
TMS、BTESM、BTESB)和混合OSG薄膜對蝕刻速率和折射率的影響。 OSG薄膜的CF4等電漿蝕刻主要通過原子氟的離子輔助化學蝕刻，其速率在27～85 nm/min之間。其中，基於BTESB的OSG薄膜的蝕刻速率最高，這是由於CF2發射的紫外光被強烈吸收導致芳香環的裂變。而採用BTESM製備的OSG薄膜，由於Si-OEt的鍵合強度比MTMS中的Si-CH3強，因此蝕刻率最低。在CF4中加入少量~7.5%的O2，對MTMS和BTESM來說，分別提高OSG薄膜的蝕刻率~21.8%和~14.7%。所有OSG薄膜電漿蝕刻後的折射率都上升，此可能是電漿表面改質層中類似SiF2基團暴露於環境中時，形
成高極化率的Si-OH所致。吾人建議OSG薄膜蝕刻後需要進行適當的後處理以消除對水氣的敏感性。
機械應力對大馬士革鑲嵌金屬/絕緣層/金屬結構之電性研究
為了解決大馬士革鑲嵌 的問題，作者楊雅喨 這樣論述：
因應工業綠色環保製程需求傳統IC覆晶技術封裝過程中，焊接的錫球中不可含鉛，故必須在高溫焊接。由於熱漲冷縮之機械應力，造成晶片變形。本論文利用外加機械應力使晶片變形，來研究在不同外加機械應力作用於量測元件下量測分析其電性的傳導機制。其中使用的元件樣品為一個梳狀結構的金屬-絕緣體-金屬(MIM) 電容器樣本，其中有單鑲嵌(SD)及雙鑲嵌(DD)標準工業製程的元件，其金屬導線為銅製程及絕緣層為低介電層(SiOC)結構。本論文的實驗先將鑲嵌結構的MIM元件，在室溫時由電性測量獲得傳導電流及電容，進而用模具施加應力使得樣本彎曲。在應力作用下量測得受張應力時傳導電流上昇，反之受壓應力時傳導電流下降。另外
觀察電容變化得到，隨著張應力增加時電容值會下降，受壓應力增加時電容值會上升。由I-V實驗分析fitting獲得能障差∆Φ及β值。由β來探討對於應力作用下的傳導機制，可得SD的傳導機制為Poole-Frenkel (P-F)的傳導機制，DD的傳導機制符合Schottky emission (SE) 的傳導機制。應力作用影響造成能障的變化，傳導電流受能障的變化而改變。由C-V實驗結果中得知DD元件中SiOC的電容在壓應力作用時電容上昇，反之張應力作用時電容下降。SD的C-V實驗結果與DD相似，其電容受壓應力作用時上昇，反之張應力作用時下降。因應力作用造成能障的變化，故SD受應力作用的電容變化是受能
障的變化的因素。在改變DC Bias的測量時有一個峰值在負電壓位區域處，可得知SD結構的SiOC中有帶正電荷的缺陷存在，且SD是P-F的傳導機制。DD的電容遠大於SD的電容原因為缺陷能障小於SiOC的能障。在SD中SiOC受張應力與壓應力的能障變化趨勢是一致的，因為電子傳遞於SiC與SiOC的介面缺陷中，其應力作用影響到缺陷的能障變化。而DD的SiOC受張應力作用的能障變化遠大於壓應力作用，可由能障模型解釋之，其與I-V實驗所得之電子傳導行為是一致。